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在WSe2通道内的垂直电场可使用双栅进行调节，融领人正人工导致电荷在WSe2两个界面上积累。垂直电场下的内建p-n同质结有助于光生电子-空穴对的分离，域批演残同时也大大降低了光电晶体管的噪声，导致了高达≈2×1013 Jones的光电探测度。

S:源极，取代清洗D:漏极，TG:顶栅，BG:底栅，Gr:石墨烯，hBN-T/B:顶部/底部hBN纳米片。总之，金被智垂直双栅WSe2光电晶体管具有可调线性光响应和高性能，为多层2D半导体的高分辨率和定量光检测提供了一个有前景的策略。图3 双栅WSe2光电探测器的光响应特性，融领人正人工Vds=0.1Va-c)顶栅电压Vtg分别为−1，0，3V时，光电流(Iph)和激光功率密度(Pin)的对数关系图。

域批演残不同的线性区域可以通过颜色来区分。与最新的基于WSe2的光电探测器相比，取代清洗该垂直双栅WSe2光电晶体管在可调线性光响应机制下表现出卓越的探测性能。

所有光电流扫描的底栅电压Vbg=−70V，金被智激光功率约30nW。

左下角和右下角的插图分别描绘了器件在p型和n型分支中的能带结构，融领人正人工绿色箭头线表示肖特基势垒高度。最近，域批演残美国斯坦福大学的JohnP.A.Ioannidis教授团队更新了全球十万科学家的排名。

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